Pt99.99%高纯铂颗粒-高纯铂-宏钜金属(查看)

名 称：硅

符 号：Si

原子量：28.09

熔 点：1414℃

沸 点：2355℃  

密 度：2.33g/cm3  

硅是具有灰色金属光泽的固体，高纯铂，属脆性材料，可分为单晶硅，多晶硅和非晶硅。是应用较广泛的半导体材料，也是电子工业和太阳能发电工业的基础材料。

高纯硅靶

高纯硅颗粒

高纯硅粉

高纯硅片

硅的化合物主要用于镀膜领域，我公司可提供一氧化硅，二氧化硅，碳化硅。氮化硅等

名 称：锗

符 号：Ge

原子量：72.61

熔 点：937.2℃

沸 点：2830℃  

密 度：5.32g/cm3

   锗为银灰色晶体，室温下晶体锗质脆；有明显的非金属性质。高纯单晶锗是制造晶体管和红外器件，光纤，太阳能电池的半导体材料。

高纯锗  Ge  5N 6N  靶材  根据要求定制  

高纯锗  Ge  5N  粉末  -60目

高纯锗  Ge  5N 6N  颗粒  1-6mm

高纯锗  Ge  5N 6N  柱状  φ3-50mm

   高纯锗合金在半导体行业有着非常重要的应用，高纯铂片、铂粒、高纯铂蒸发料，我们可以提供金锗合金，金锗镍合金用于蒸发电极等方面，也可以提供锗的化合物：氧化锗，高纯铂颗粒99.99Pt靶材，碲化锗合金及化合物

二氧化锗  GeO2  5N 6N  粉末 颗粒

金锗合金  AuGe12  4N  靶材 片状

金锗镍合金  AuGeNi  4N  靶材 片状

碲化锗  GeTe  4N  靶材

名 称：钛

符 号：Ti

原子量：47.88

熔 点：1668℃

沸 点：3277℃

密 度：4.506g/cm3    

   高纯钛是指纯度在4N以上的金属钛，主要制备方法有：碘化法，熔盐电解法，电子束熔炼法，电子束区熔法等。

   高纯钛主要用于半导体材料，溅射靶材，合金材料及**高真空装置中的吸气材料。

我公司可提供4N5，5N高纯钛，采用美国进口原料。主要用于生产高纯度溅射靶材和金属颗粒，用于高纯度合金熔炼，Pt99.99%高纯铂颗粒，蒸发镀膜等领域。

   高纯钛靶材    高纯钛粉末    高纯钛颗粒 高纯钛棒状    高纯钛丝状    高纯钛片状

   我们可提供钛氧化物，氮化物及其他化合物靶材，粉末等。

溅射靶材：二氧化钛靶材，氮化钛靶材，钛酸锶晶体靶材，钛酸钡靶材等

光学镀膜材料：二氧化钛颗粒，五氧化三钛晶体颗粒等化合物及合金氧化钛TiO2

氮化钛TiN    硼化钛TiB2    钛酸锶SrTiO3    钛酸钡BaTiO3    钛铝合金Ti-Al    钛硅合金    钛钨合金